taybetmendiyên hilberê
AWA
TERÎFKIRIN
liq
Berhemên Semiconductor Veqetandî
Transîstor - FET, MOSFET - Yek
çêker
Teknolojiyên Infineon
doranî
CoolGaN™
Pakêt
Tape and Reel (TR)
Banda şilandinê (CT)
Digi-Reel® Custom Reel
Rewşa Hilberê
rawestandin
Tîpa FET
N kanal
teknolocî
GaNFET (Gallium Nitride)
Drain-Source Voltage (Vdss)
600V
Herikîna li 25°C - Berdewam Drain (Id)
31A (Tc)
Voltaja ajotinê (Rd-ya herî zêde, hindik Rds-ê)
-
Li ser-berxwedanê (herî zêde) li Id cuda, Vgs
-
Vgs (th) (herî zêde) di nasnameyên cûda de
1,6V @ 2,6mA
Vgs (herî zêde)
-10V
Kapasîteya têketinê (Ciss) li Vdyên cihêreng (max)
380pF @ 400V
fonksiyona FET
-
Belavbûna hêzê (herî zêde)
125W (Tc)
germahiya xebatê
-55°C ~ 150°C (TJ)
cureyê sazkirinê
Surface Mount Type
Supplier Device Packaging
PG-DSO-20-87
Pakêt / Pêvek
20-PowerSOIC (0.433 ″, 11.00mm fireh)
Hejmara hilberê bingehîn
IGOT60
Medya û Daxistin
TÎPÊ ÇAVKANÎ
PÊVEK
Specifications
IGOT60R070D1
Rêbernameya Hilbijartina GaN
CoolGaN™ 600 V e-moda GaN HEMTs Kurt
Belgeyên din ên têkildar
GaN di Adapter / Chargeran de
GaN di Server û Telekomê de
Rastîbûn û Qalîteya CoolGaN
Çima CoolGaN
GaN di Barkirina Wireless de
pelê vîdyoyê
CoolGaN™ 600V e-moda HEMT platforma nirxandina nîv-pira ku GaN EiceDRIVER™ vedihewîne
CoolGaN™ - paradîgmaya hêza nû
Lijneya nirxandinê ya 2500 W ya totem-pola PFC ya tevahî pira ku CoolGaN™ 600 V bikar tîne
Specifications HTML
CoolGaN™ 600 V e-moda GaN HEMTs Kurt
IGOT60R070D1
Jîngeh û Tesnîfkirina Export
ATTRIBUTES
TERÎFKIRIN
Rewşa RoHS
Lihevhatî bi taybetmendiya ROHS3
Asta hestiyariyê (MSL)
3 (168 saet)
rewşa REACH
Berhemên ne-REACH
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
